Alan Etkili Transistör (FET) Nedir ?

Alan etkili transistör (FET – Field Effect Transistor), bipolar transistör (BJT) fonksiyonlarının çoğunu gerçekleştirebilen fakat çalışması temelde farklı olan üç terminalli yarı iletken bir devre elemanıdır. 

Alan etkilitransistör, üzerinden geçen akımın iki çeşit yük taşıyıcısından (oyuklar yada elektronlar) sadece birine dayandığı için tek kutuplu (unipolar) bir eleman olarak bilinir. Üzerinden geçen akım dışarıdan uygulanan bir gerilim ile oluşturulan bir elektrik alanı tarafından kontrol edildiği için Alan Etkili Transistör diye adlandırılır.

FET, BJT den oldukça farklı olarak, üzerinden geçen akım miktarını gate (kapı) ucundaki gerilim ile kontrol eden, voltaj kontrollü bir devre elemanıdır. Ayrıca BJT den farklı olarak bazı uygulamalarda avantaj sağlayan oldukça yüksek giriş direncine sahiptir.

Alan Etkili Transistör (FET) Çeşitleri 

• Birleşim (junction) Alan Etkili Transistör (JFET)

• Metal Oksit Silikon Alan Etkili Transistör (MOSFET)

Alan Etkili Transistör (FET) Sembolü

FET, BJT transistörlere göre üstünlükleri

• Giriş empedansları daha yüksektir.
• BJT ‘de 2Kohm iken FET ‘lerde yaklaşık 100Mohm ‘dur
• Anahtar olarak kullanıldığında, sapma gerilimi yoktur.
• Radyasyon (yayınım) etkisi yoktur.
• BJT ‘lere nazaran daha az gürültülüdür.
• Isısal değişimlerden etkilenmezler.
• BJT ‘lere göre daha küçüktür. Bu nedenle entegrelerde daha fazla kullanılırlar.
• Yüksek giriş empedansı ve alçak elektrodlar arası kapasitans özelliği ile yüksek frekans devrelerinde rahtlıkla kullanılırlar.
• BJT ‘lere göre sakıncası ise band genişliklerinin dar olması ve çabuk hasar görebilmesidir

FET avantajları ve dezavantajları nelerdir ?

FET bileşeninin en büyük avantajı yüksek giriş direncidir. Bu direnç değeri yaklaşık 100 M? düzeylerindedir. Bunun yanı sıra FET, voltaj kontrollü bir cihaz ve giriş-çıkış arası yüksek bir izolasyona sahiptir. Ayrıca kutupsuz bir cihaz olması sayesinde elektronik gürültü miktarı da azdır. Radyasyona karşı da dayanıklıdır, termal kapasitesi ise BJT’ye göre oldukça stabildir. Dezavantajları ise; bant genişliği BJT’ye göre daha dardır. Özellikle MOSFET çeşidi, aşırı gerilim yüklenmelerine karşı çok hassastır. Bu yüzden kullanılırken özel kontrol gerektirirler. Ayrıca statik hasarlanma olasılığı da oldukça fazladır.